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三星、SK 海力士开始研发 EUV 技术生产 DRAM,最快 2020 年量产


2020-06-14

三星、SK 海力士开始研发 EUV 技术生产 DRAM,最快 2020 年量产

就在台积电与三星在逻辑晶片製程技术逐渐导入 EUV 技术之后,记忆体产业也将追随。也就是全球记忆体龙头三星在未来 1Y 奈米製程的 DRAM 记忆体晶片生产上,也在研究导入 EUV 技术。而除了三星之外,南韩另一家记忆体大厂 SK 海力士 (Hynix) 也传出消息,正在研发 EUV 技术来生产 DRAM 记忆体,未来有机会藉此将生产 DRAM 的成本降低。

根据南韩媒体的报导,不论是处理器还是记忆体,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于,採不採用最先进的 EUV 极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,逻辑晶片上以处理器产品来看,因为在製程节点推进到 7 奈米製程之后,对 EUV 技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进製程,未来也就越仰赖 EUV 技术。三星、SK 海力士开始研发 EUV 技术生产 DRAM,最快 2020 年量产

报导指出,而回过头来看 DRAM 记忆体产业,目前对 EUV 技术需求相对来说就没有处理器来得不殷切。原因是目前最先进的 DRAM 记忆体製程依然在 18 奈米以上。所以,除了三星与海力士之外,全球三大记忆体厂之一的美光,之前就表态表示,即使到了 1α 及 1β 的製程技术节点,也还没有使用 EUV 技术的必要性。

不同于美光的看法,三星在处理器的逻辑晶片製程导入 EUV 技术之后,在 DRAM 记忆体製程上也传出开始在 1Y 奈米製程节点上尝试 EUV 技术,而且最快在 2020 年量产 EUV 技术的 1Y 奈米 DRAM 记忆体。而除了三星之外,SK 海力士也将在南韩的利川市新建的 DRAM 生产工厂中,研发内含 EUV 技术的 DRAM 记忆体生产技术。三星、SK 海力士开始研发 EUV 技术生产 DRAM,最快 2020 年量产

至于,为何要採用 EUV 技术来生产 DRAM 记忆体,其原因就在于可以提高光刻精度、减小线宽、降低记忆体单位容量成本。不过,虽然 DRAM 记忆体希望以 EUV 技术来进行生产。只是,目前在此领域 EUV 技术还不够成熟,产能不如普通的光刻机,这部分还需要时间来进行改进。

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